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  • 型号: FDG327N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDG327N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDG327N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG327N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG327N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6。您可以下载FDG327N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG327N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDG327N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电子电路设计。以下是 FDG327N 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FDG327N 可用作开关元件,用于 DC-DC 转换器或 AC-DC 适配器中,实现高效的电压转换。
   - 负载开关:在便携式设备中,作为负载开关控制电源的通断,降低功耗。
   - 电池管理系统 (BMS):用于电池保护电路中,防止过充、过放或短路。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,实现启动、停止和调速功能。
   - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合使用,构成 H 桥电路以实现电机的正转和反转。

 3. 信号切换
   - 信号隔离与切换:在多路复用器或多路选择器中,用于切换不同的信号路径。
   - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换输入或输出信号路径。

 4. 保护电路
   - 过流保护:利用其低导通电阻特性,监测电流并切断异常电流路径。
   - ESD 保护:在某些应用中,可以作为静电放电保护元件。

 5. 消费类电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于充电电路、音频放大器和其他内部模块的电源管理。
   - 笔记本电脑:作为电源开关或散热风扇驱动器。
   - 家用电器:如电风扇、吸尘器等的小功率电机驱动。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化设备中的传感器信号调理和驱动。
   - 继电器替代:在需要快速开关的应用中,取代传统机械继电器。

 7. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器等小功率电机驱动。
   - LED 照明:用于汽车 LED 灯的驱动电路中,提供高效稳定的电流控制。

 总结
FDG327N 凭借其低导通电阻(典型值为 0.035 Ω)、高工作频率和良好的热性能,适合应用于各种需要高效功率转换和信号切换的场景。它的小型封装(如 SOIC 或 DPAK)也使其成为空间受限设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG327NPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDG327N

PCN封装

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PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

0.42 W

Pd-功率耗散

420 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

6.5 ns

下降时间

6.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

423pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 1.5A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-70-6

其它名称

FDG327N-ND
FDG327NTR

典型关闭延迟时间

14 ns

功率-最大值

380mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

28 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

9 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A (Ta)

系列

FDG327N

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

零件号别名

FDG327N_NL

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