【未分类_FQP2N30】封装/厂家_FQP2N30中文资料_价格

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型号： FQP2N30
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP2N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP2N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQP2N30封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP2N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP2N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP2N30 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别，具有以下典型应用场景：

 1. 开关电源 (Switching Power Supplies)
   - FQP2N30 的高耐压能力（300V Vds）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。例如，在 DC-DC 转换器或 AC-DC 适配器中，它可以作为主开关管来控制电流的通断。

 2. 电机驱动 (Motor Drivers)
   - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中，FQP2N30 可用作功率开关。通过 PWM（脉宽调制）信号控制其导通和关断，实现对电机速度和方向的调节。

 3. 逆变器 (Inverters)
   - 该 MOSFET 可用于低频逆变器电路中，将直流电转换为交流电。例如，在太阳能逆变器或家用应急电源系统中，FQP2N30 可作为功率级的一部分。

 4. 继电器替代 (Relay Replacement)
   - 在需要频繁切换负载的应用中，FQP2N30 可以替代机械继电器。相比传统继电器，MOSFET 具有更快的切换速度和更长的使用寿命。

 5. LED 驱动 (LED Drivers)
   - 在高亮度 LED 照明应用中，FQP2N30 可用于恒流源电路中，通过调整栅极电压来精确控制 LED 的亮度。

 6. 负载开关 (Load Switches)
   - FQP2N30 可用于电子设备中的负载开关功能，例如在电池供电设备中，通过控制 MOSFET 的通断来管理电源分配。

 7. 保护电路 (Protection Circuits)
   - 在过流保护、短路保护等电路中，FQP2N30 可以用作关键元件。通过检测电流并限制其大小，防止下游电路损坏。

 8. 音频放大器 (Audio Amplifiers)
   - 在某些 Class D 音频放大器设计中，FQP2N30 可用作输出级开关，提供高效的音频信号放大。

 特性总结：
- 额定电压：300V（漏源极击穿电压）
- 额定电流：1.1A（连续漏极电流）
- 低导通电阻：在特定栅极驱动电压下表现出较低的 Rds(on)，有助于减少功耗。
- 紧凑封装：TO-92 封装适合低成本、小尺寸设计。

综上所述，FQP2N30 适用于各种需要高压、低功耗和高效开关性能的场景，尤其是在消费电子、工业控制和电源管理领域中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP2N30
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	130pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	3.7 欧姆 @ 1.05A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	40W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	300V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.1A （Tc）