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FQPF30N06L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF30N06L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF30N06L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF30N06L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 22.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF30N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF30N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FQPF30N06L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景非常广泛,尤其适用于需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号MOSFET的一些典型应用场景: 1. 电源管理: - FQPF30N06L常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。 - 在电池充电电路中,它可以作为充电路径的控制开关,确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动: - 该MOSFET可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机驱动电路中。它能够快速切换高电流,从而实现精确的速度和位置控制。 - 在H桥电路中,多个MOSFET组合使用可以实现电机的正反转控制。 3. 负载开关: - FQPF30N06L可以用作负载开关,控制不同负载设备的供电状态。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、风扇等设备的开启和关闭。 - 在便携式电子产品中,如智能手机和平板电脑,它可以用作电源管理IC(PMIC)的一部分,实现对各个模块的动态供电管理。 4. 逆变器和UPS系统: - 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,FQPF30N06L可以作为主功率开关器件,将直流电转换为交流电,或在市电中断时提供备用电源支持。 - 它的高耐压特性(60V)使其能够在这些应用中承受较大的电压波动。 5. LED驱动: - 对于大功率LED照明系统,FQPF30N06L可以用作恒流源控制器,确保LED获得稳定的电流供应,从而延长其使用寿命并保持亮度一致。 总之,FQPF30N06L凭借其优良的电气性能和可靠性,在各种电力电子设备中发挥着重要作用。无论是工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,这款MOSFET都能满足高效能和高可靠性的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220FMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 22.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF30N06LQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF30N06L |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 11.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22.5A (Tc) |
| 系列 | FQPF30N06L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF30N06L_NL |