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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH5304TR2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH5304TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH5304TR2PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFH5304TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFH5304TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFH5304TR2PBF 是一款由英飞凌旗下IR(国际整流器)公司生产的MOSFET晶体管。具体分类为场效应晶体管(FET),属于单个MOSFET器件。 应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET适用于高效能电源转换器、DC-DC转换器和同步整流器,广泛用于服务器、通信设备和工业电源系统中。 2. 电机控制:由于其高开关速度和低导通电阻特性,IRFH5304TR2PBF常用于电机驱动电路、电动工具和自动化设备中的功率控制。 3. 汽车电子:该器件符合AEC-Q101汽车级标准,因此适用于车载系统,如车身控制模块、车载充电器、电池管理系统(BMS)等。 4. 负载开关和继电器替代:因其高可靠性和耐用性,可用于替代机械继电器,在智能电表、工业自动化和家电中实现快速、无磨损的开关操作。 5. 逆变器和UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和逆变器设计,用于实现高效的能量转换和稳定输出。 该MOSFET具有高耐压、低导通损耗和优良的热性能,适合在中高功率应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFNMOSFET MOSFT 30V 79A 4.5mOhm 16nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH5304TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH5304TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 16 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 6.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2360pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 47A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN(5x6)单芯片焊盘 |
| 其它名称 | IRFH5304TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-VQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 88 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Ta), 79A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh5304.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh5304.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |