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  • 型号: FC6943010R
  • 制造商: Panasonic Corporation
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FC6943010R由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FC6943010R价格参考。Panasonic CorporationFC6943010R封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 100mA 125mW 表面贴装 SSMini6-F3-B。您可以下载FC6943010R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FC6943010R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 100MA SSMINI6MOSFET COMPOSITE SM SIG MOS FLAT LEAD 1.6x1.6mm

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

100 mA

Id-连续漏极电流

100 mA

品牌

Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic

产品手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7003+FC694301+8+WW

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Panasonic FC6943010R-

数据手册

http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7003+FC694301+8+WW

产品型号

FC6943010RFC6943010R

Pd-PowerDissipation

125 mW

Pd-功率耗散

125 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 1µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 欧姆 @ 10mA,4V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SSMini6-F3-B

其它名称

FC6943010R-ND
FC6943010RTR

典型关闭延迟时间

100 nS

功率-最大值

125mW

包装

带卷 (TR)

商标

Panasonic

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SSMini-6-F3-B

工厂包装数量

8000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

8,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA

配置

Dual

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