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Datasheet下载- 型号： FDC6302P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6302P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6302P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6302P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 25V 120mA 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6302P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6302P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6302P 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管阵列，具体为 FET 和 MOSFET 类型。该型号属于多通道功率 MOSFET 阵列，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理和信号切换应用场景。 应用场景： 1. 电源管理： - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：FDC6302P 可用于高效能的降压或升压转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻有助于减少功耗，提高转换效率。 - 负载开关（Load Switch）：在需要频繁开启和关闭电源的应用中，如移动设备、笔记本电脑等，FDC6302P 可以实现快速且低损耗的电源切换。 2. 电机驱动： - 小型电机控制：FDC6302P 可用于驱动小型直流电机或步进电机，尤其是在需要高精度控制和快速响应的应用中，如消费电子、智能家居设备等。 - H桥电路：在双向电机控制中，FDC6302P 可用于构建 H 桥电路，提供正反向驱动功能。 3. 信号切换： - 多路复用/解复用（MUX/DEMUX）：FDC6302P 的多个独立通道可以用于信号路径的选择和切换，适用于通信设备、测试测量仪器等领域。 - 模拟开关：在需要高速、低噪声信号切换的应用中，FDC6302P 可以作为高性能的模拟开关，确保信号完整性。 4. 电池管理系统（BMS）： - 电池保护和均衡：FDC6302P 可用于电池组的充放电保护电路中，确保电池安全工作，并支持电池间的电压均衡。 5. 工业自动化： - 传感器接口：在工业控制系统中，FDC6302P 可用于传感器信号的放大和调理，确保信号传输的稳定性和准确性。 - PLC 控制：可集成到可编程逻辑控制器（PLC）中，用于执行复杂的开关操作和逻辑控制。 总之，FDC6302P 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等多个领域，特别是在需要高效电源管理和快速信号切换的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6MOSFET SSOT-6 P-CH -25V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 mA |
| Id-连续漏极电流 | 120 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6302P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC6302P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.31nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6302PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.135 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120mA |
| 系列 | FDC6302P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC6302P_NL |
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