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Datasheet下载- 型号： MMBF4416LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4416LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4416LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF4416LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET SOT-23-3（TO-236）。您可以下载MMBF4416LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4416LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MMBF4416LT1G是一款N沟道增强型射频MOSFET，属于晶体管中的射频场效应管（RF MOSFET）类别。该器件采用SOT-23小外形封装，具有体积小、高频性能优良的特点，适用于高频信号放大和开关应用。 MMBF4416LT1G主要应用于射频领域，常见使用场景包括：无线通信设备中的射频前端模块、低噪声放大器（LNA）、射频开关、混频器以及各类高频信号处理电路。其工作频率范围宽，适合在UHF（特高频）和VHF（甚高频）频段下稳定运行，因此广泛用于便携式通信设备，如对讲机、无线麦克风、遥控装置、物联网（IoT）无线模块、智能家居设备及小型无线传感器网络等。 此外，由于其低功耗和高增益特性，该器件也适用于电池供电的移动设备，有助于延长设备续航时间。MMBF4416LT1G具备良好的热稳定性和可靠性，符合环保要求（如无铅、符合RoHS标准），适合自动化贴片生产，广泛应用于消费电子、工业控制和轻型通信系统中。 总之，MMBF4416LT1G是一款高性能、小功率射频MOSFET，特别适用于对尺寸、功耗和高频性能有要求的中低功率射频电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET SS N-CHAN VHF 30V SOT23 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF4416LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4416LT1GOSDKR |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 15mA |
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