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Datasheet下载- 型号： CSD16410Q5A
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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CSD16410Q5A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16410Q5A由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16410Q5A价格参考。Texas InstrumentsCSD16410Q5A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 25V 16A (Ta), 59A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-VSONP (5x6)。您可以下载CSD16410Q5A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16410Q5A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16410Q5A是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款N沟道MOSFET，采用5mm × 6mm SON封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率特性。该器件主要适用于对空间和能效要求较高的电源管理场景。 典型应用场景包括： 1. 同步整流：在DC-DC降压转换器中作为下管或上管使用，提升转换效率，广泛应用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 负载开关：用于控制电源路径的通断，适合便携式设备如平板电脑、笔记本电脑中的电源管理模块，实现低功耗和快速响应。 3. 电机驱动电路：在小型直流电机或步进电机驱动中作为开关元件，提供高效、可靠的控制性能。 4. 热插拔设计：适用于支持热插拔的背板或模块化系统，有效抑制浪涌电流，保护后级电路。 5. 电池供电系统：因具备低导通损耗和小封装尺寸，常用于电池管理系统（BMS）或移动电源中，延长续航时间。 CSD16410Q5A凭借其高功率密度和优良的热性能，特别适合紧凑型高效率电源设计，在消费电子、工业控制和通信基础设施中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 59A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 59 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16410Q5ANexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16410Q5A |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| Qg-GateCharge | 3.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 10.7 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-24254-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 6.5 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16410Q5A |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | VSON-8 FET |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 38 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A（Ta）， 59A（Tc） |
| 系列 | CSD16410Q5A |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
