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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT23N80Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT23N80Q价格参考。IXYSIXFT23N80Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT23N80Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT23N80Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT23N80Q是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于需要高效能与稳定性的电源管理系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于实现高效的能量转换。 2. 电机驱动系统:可用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机的驱动电路中,提供快速开关和良好负载能力。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和电力逆变器中作为关键开关元件,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 新能源应用:如太阳能逆变器、风力发电控制系统等,适合在恶劣环境下稳定工作。 5. 工业控制与自动化:广泛应用于各种工业控制模块,如PLC、变频器等,提升系统整体效率和可靠性。 总之,IXFT23N80Q凭借其优良的电气性能和耐用性,适用于多种高电压、中高功率的电子系统设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFT23N80Q |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 3mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 420 毫欧 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | TO-268 |
功率-最大值 | 500W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |