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Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-100BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-100BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 269W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN7R0-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-100BS,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅7.0 mΩ @ Vgs=10V，8.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=100A，脉冲可达320A）及优良热性能。 其主要应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，助力提升能效与功率密度； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的H桥或半桥功率级，尤其适合需快速开关与低损耗的风机、泵类、电动工具等； ✅ 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和强短路耐受能力，用作主充放电路径的高侧/低侧开关或过流保护开关； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关或主功率开关； ✅ 热插拔与电源排序电路：支持软启动与浪涌电流抑制，适用于板级电源管理模块。 该器件具备AEC-Q101兼容性（部分批次），亦可拓展至车载信息娱乐系统等严苛环境应用。其逻辑电平驱动特性（4.5V即可充分导通）简化了栅极驱动设计，兼容主流MCU/驱动IC输出，降低系统成本与复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKMOSFET N-CH 100V 6.8 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R0-100BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 269 W |
| Pd-功率耗散 | 269 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 90 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4.3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6686pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9705-1 |
| 功率-最大值 | 269W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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