图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: BC557BRL1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BC557BRL1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC557BRL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC557BRL1G价格参考¥0.64-¥0.64。ON SemiconductorBC557BRL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 45V 100mA 320MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载BC557BRL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC557BRL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS AMP PNP 45V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC557BRL1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BC557BRL1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

180 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

其它名称

BC557BRL1G-ND
BC557BRL1GOSTR

功率-最大值

625mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

320 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 (TO-226)

工厂包装数量

2000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

625 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

180

系列

BC557B

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 0.3 V

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

320MHz

BC557BRL1G 相关产品

MPSA06T93

品牌:Rohm Semiconductor

价格:

2SD1733TLR

品牌:Rohm Semiconductor

价格:

BCX71GE6327HTSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

BCW32

品牌:ON Semiconductor

价格:

BU508AFTBTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

2SA2222

品牌:ON Semiconductor

价格:

BC858BWT1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

TIP112G

品牌:ON Semiconductor

价格: