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Datasheet下载- 型号： 2SA2088T106Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2SA2088T106Q产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA2088T106Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA2088T106Q价格参考。ROHM Semiconductor2SA2088T106Q封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 500mA 400MHz 200mW 表面贴装 UMT3。您可以下载2SA2088T106Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA2088T106Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SA2088T106Q 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 音频放大器： 2SA2088T106Q 常用于音频设备中的功率放大电路，例如音响系统、耳机放大器和家庭影院等。其高增益和良好的线性特性使其适合处理音频信号的放大。 2. 开关电路： 在需要高效开关功能的电路中，该晶体管可以用作开关元件。例如，在继电器驱动、LED驱动或电机控制电路中，它能够快速切换状态以实现精确控制。 3. 电源管理： 该型号可用于直流-直流转换器或其他电源管理模块中，作为电流调节或电压稳定的关键元件。它的低饱和电压特性有助于提高效率并减少能量损耗。 4. 信号放大与处理： 在工业控制、通信设备或测量仪器中，2SA2088T106Q 可用于信号放大的应用场景。它能将微弱的输入信号放大到所需的强度，同时保持较低的失真率。 5. 汽车电子： 由于其可靠性和耐高温性能，该晶体管也可应用于汽车电子领域，如车灯控制、电动座椅驱动以及车载娱乐系统的音频放大等。 6. 家用电器： 在家用电器中，如冰箱、空调或洗衣机等，该晶体管可能被用作风扇速度控制、压缩机启动或其他功能的驱动元件。 总之，2SA2088T106Q 凭借其优良的电气特性和稳定性，广泛适用于各种需要高性能双极型晶体管的场景，特别是在需要高增益、低噪声和良好热稳定性的场合。具体应用还需根据实际电路设计需求进行选择和优化。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 60V 0.5A SOT-323两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 60V 0.5A 3PIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SA2088T106Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA2088T106Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 50mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | 2SA2088T106QDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | UMT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 50 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 50 mA at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
PDF Datasheet 数据手册内容提取
2SA2088 Medium power transistor (-60V, -0.5A) Datasheet llOutline Parameter Value r UMT3 o V -60V CEO f IC -0.5A d SOT-323 e SC-70 d llFeatures s n 1)High speed switching. llInner circuit (Tf:Typ.:60ns at IC=-500mA) e n 2)Low saturation voltage, typically g (Typ.:-150mV at I =-100mA, I =-10mA) m C B 3)Strong discharge power for inductive load and i capacitance load. s m 4)Complements the 2SC5876 e o D c w e R e llApplication N t SMALL SIGNAL LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING o N llPackaging specifications Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) 2SA2088 UMT3 2021 T106 180 8 3000 VM www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20150730 - Rev.001
2SA2088 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage V -60 V CBO Collector-emitter voltage V -60 V CEO Emitter-base voltage V -6 V EBO I -0.5 r A C Collector current I *1 -1.0 o A CP Power dissipation P *2 200 mW D f Junction temperature T 1 50 ℃ j d Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg e llElectrical characteristics (T = 25°C) a d Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. s n Collector-base breakdown BV I = -100μA -60 - - V voltage CBO C n e Collector-emitter breakdown voltage BVCEO IC = -1mm A g-60 - - V Emitter-base breakdown voltage BV I = -100μA -6 - - V EBO E i Collector cut-off current ICBO mVCB = -40V s - - -1.0 μA Emitter cut-off current IEBO VEB = -4V e - - -1.0 μA Collector-emitter saturation voltage VCoE(sat) IC = -100mA, IB = -10mA - -150 -500 mV D DC current gain h V = -2V, I = -50mA 120 - 270 - FE CE C c Transition frequency f *3 VCE = -10V, IE = 100mA, - 400 - MHz e T f w= 100MHz V = -10V, I = 0mA, Output capacitance R C CB E - 10 - pF ob e f = 1MHz Turn-On time N t IC = -500mA, - 35 - ns on t I = -50mA, B1 o I = 50mA, Storage time t B2 - 100 - ns stg V ⋍ -25V, N CC R = 50Ω L Fall time t - 60 - ns f See test circuit hFE values are calssified as follows : rank Q - - - - hFE 120-270 - - - - *1 Pw=10ms,Single pulse *2 Each terminal mounted on a reference land. *3 Pulsed www.rohm.com 2/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SA2088 Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.1 Ground Emitter Propagation Fig.2 Typical Output Characteristics Characteristics r o f d e d s n n e g m i s m e o D Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Fig.4 DC Current Gain vs. Collector c Current (I) Current (II) w e R e N t o N www.rohm.com 3/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SA2088 Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.5 Collector-Emitter Saturation Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector Current (I) Voltage vs. Collector Current (II) r o f d e d s n n e g m i s m e o D Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. c vs. Collector Current Emitter Current w e R e N t o N www.rohm.com 4/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SA2088 Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.9 Emitter Input Capacitance vs. Fig.10 Safe Operating Area Emitter-Base Voltage Collector Output Capacitance vs. Collector-Base Voltage r o f d e d s n n e g m i s m e SWoITCHING TIME TEST CIRCUIT D c w e R e N t o N www.rohm.com 5/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2SA2088 Datasheet llDimensions r o f d e d s n n e g m i s m e o D c w e R e N t o N www.rohm.com 6/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
r o f d e d s n n e g m i s m e o D c w e R e N t o N