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  • 型号: PBSS5240V,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PBSS5240V,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5240V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5240V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5240V,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 1.8A 150MHz 900mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PBSS5240V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5240V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS5240V,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用小型无铅 SOT666 封装,具有高增益(hFE 典型值 250@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 100mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及 40V VCEO、200mA Ic 连续工作能力。其典型应用场景包括:  
1. 中小功率开关电路:如 LED 驱动(尤其多路背光或指示灯控制)、继电器/电磁阀驱动、蜂鸣器控制等,得益于低饱和压降和快速开关特性;  
2. 便携式电子设备中的信号放大与电平转换:适用于电池供电的 IoT 传感器节点、可穿戴设备中微弱信号预放大或逻辑电平适配;  
3. 电源管理辅助电路:在 DC-DC 转换器或 LDO 中用作使能开关、过流检测反馈晶体管或基准电压偏置电路;  
4. 工业控制接口电路:作为 PLC 输入/输出模块中的隔离级后级驱动器件,实现 MCU GPIO 对较高电流负载的安全控制。  
该器件强调高可靠性、小尺寸与环保合规性(符合 RoHS、AEC-Q200 认证),适合空间受限且需稳定性能的消费类与工业级应用。注意设计时应合理设置基极限流电阻,并考虑热耗散(封装热阻较高,不适用于持续大电流线性区工作)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 40V 2A SOT666

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

PBSS5240V,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

530mV @ 200mA,2A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 100mA,5V

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-7313-1

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

PNP

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1.8A

电流-集电极截止(最大值)

100nA

频率-跃迁

150MHz

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