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PBSS5240V,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5240V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5240V,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5240V,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 1.8A 150MHz 900mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PBSS5240V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS5240V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5240V,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用小型无铅 SOT666 封装,具有高增益(hFE 典型值 250@Ic=100mA)、低饱和压降(VCE(sat) ≤ 100mV@Ic=100mA, Ib=10mA)及 40V VCEO、200mA Ic 连续工作能力。其典型应用场景包括: 1. 中小功率开关电路:如 LED 驱动(尤其多路背光或指示灯控制)、继电器/电磁阀驱动、蜂鸣器控制等,得益于低饱和压降和快速开关特性; 2. 便携式电子设备中的信号放大与电平转换:适用于电池供电的 IoT 传感器节点、可穿戴设备中微弱信号预放大或逻辑电平适配; 3. 电源管理辅助电路:在 DC-DC 转换器或 LDO 中用作使能开关、过流检测反馈晶体管或基准电压偏置电路; 4. 工业控制接口电路:作为 PLC 输入/输出模块中的隔离级后级驱动器件,实现 MCU GPIO 对较高电流负载的安全控制。 该器件强调高可靠性、小尺寸与环保合规性(符合 RoHS、AEC-Q200 认证),适合空间受限且需稳定性能的消费类与工业级应用。注意设计时应合理设置基极限流电阻,并考虑热耗散(封装热阻较高,不适用于持续大电流线性区工作)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 40V 2A SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PBSS5240V,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 530mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 100mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7313-1 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |