ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2SD2351T106V
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
2SD2351T106V产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD2351T106V由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD2351T106V价格参考。ROHM Semiconductor2SD2351T106V封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 150mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载2SD2351T106V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD2351T106V 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SD2351T106V是一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管,广泛应用于中高功率放大和开关电路中。该器件具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适合在电源管理、电机驱动、DC-DC转换器及各类工业控制设备中使用。 典型应用场景包括: 1. 电源电路:作为开关元件用于线性稳压电源或开关电源(SMPS)中,实现高效的电压调节与功率控制; 2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中担任功率放大角色,提供足够的基极驱动能力以控制负载通断; 3. 逆变器与转换器:适用于DC-AC逆变器或DC-DC升/降压电路,承担高频开关功能; 4. 照明系统:用于LED驱动或电子镇流器中,实现对大功率灯具的稳定控制; 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备中的音频输出级或电源模块。 该型号采用紧凑型表面贴装封装(如TO-252),便于自动化生产,同时具备优良的散热性能,适合空间受限但需较高功率处理能力的应用场合。其额定集电极电流可达数安培,耐压适中,兼顾效率与可靠性,是工业与民用电子系统中理想的中功率开关与放大元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 50V 150MA SOT-323两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2351T106V- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD2351T106V |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 820 @ 1mA,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT3 |
| 其它名称 | 2SD2351T106VCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 300nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 820 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 820 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 0.15 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |