【未分类_2N5210BU】封装/厂家_2N5210BU中文资料_价格

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型号： 2N5210BU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5210BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5210BU价格参考。Fairchild Semiconductor2N5210BU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N5210BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5210BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5210BU是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该型号主要应用于低频、小信号放大以及开关电路中，以下是其典型的应用场景：

 1. 信号放大
   - 2N5210BU适合用于音频或其他低频信号的放大。例如，在音响设备或麦克风前置放大器中，可以作为一级或多级放大器来提升输入信号的强度。
   - 它能够处理较小的输入信号，并将其放大到适合后续处理或输出的水平。

 2. 开关电路
   - 该晶体管可以用作电子开关，在数字电路中实现通断控制。例如，驱动继电器、小型电机或LED等负载。
   - 在自动化控制系统中，2N5210BU可以通过基极电流控制集电极和发射极之间的导通与截止状态，从而实现对其他设备的开关操作。

 3. 电源管理
   - 在一些简单的线性稳压器设计中，2N5210BU可以用作调整管，帮助稳定输出电压。
   - 它还可以用作电流限制器，保护电路免受过载电流的影响。

 4. 传感器接口
   - 在工业或消费类电子产品中，2N5210BU可以连接到各种传感器（如温度传感器、光敏电阻等），将传感器检测到的微弱信号进行放大，以便后续处理或显示。

 5. 脉冲调制
   - 该晶体管可用于生成和调节脉宽调制（PWM）信号，广泛应用于直流电机速度控制、LED亮度调节等领域。

 特性总结：
   - 集电极-发射极击穿电压（Vceo）：约80V
   - 最大集电极电流（Ic）：1A
   - 功耗（Ptot）：约625mW（在TO-92封装下）
   - 增益（hFE）：通常在10至70之间

由于2N5210BU具有较高的电压耐受能力和适中的电流容量，因此非常适合需要稳定性和可靠性的低功耗应用场景。同时，其低成本和易用性也使其成为许多基础电子项目的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N5210BU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5210BU
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	700mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 100µA， 5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N5210 S0024M
功率-最大值	625mW
包装	散装
单位重量	179 mg
发射极-基极电压VEBO	4.5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	30 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3 标准主体
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	50nA
直流电流增益hFE最大值	600
直流集电极/BaseGainhfeMin	200
系列	2N5210
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极—基极电压VCBO	50 V
集电极—射极饱和电压	0.7 V
集电极连续电流	0.1 A
频率-跃迁	30MHz