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Datasheet下载- 型号： MMBT5210
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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MMBT5210产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5210由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5210价格参考。Fairchild SemiconductorMMBT5210封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 30MHz 350mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBT5210参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5210 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5210 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于小信号放大和开关应用。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 通用开关电路：MMBT5210具备良好的开关特性，适合用于数字电路中的开关元件，如驱动LED、继电器或小型负载。 2. 信号放大电路：该晶体管适用于音频放大器、射频放大器等小信号放大电路中，作为前置放大级使用。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中，可用于不同电压逻辑之间的电平转换，提高接口兼容性。 4. 传感器接口电路：在传感器信号调理电路中用作信号放大或缓冲，提升传感器输出信号的驱动能力。 5. 电源管理电路：可应用于低功耗电源管理系统中，作为控制开关或稳压电路的一部分。 6. 消费类电子产品：如手机、平板、穿戴设备等便携式电子产品中，用于低功耗、小尺寸要求的电路设计。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB上布局，适用于多种中低功率电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN GP SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MMBT5210- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5210 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100µA， 5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT5210CT |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | 4.5 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 600 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | MMBT5210 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 零件号别名 | MMBT5210_NL |
| 频率-跃迁 | 30MHz |
