Datasheet下载- 型号： ZXTP25020DFLTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTP25020DFLTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTP25020DFLTA价格参考。Diodes Inc.ZXTP25020DFLTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXTP25020DFLTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTP25020DFLTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXTP25020DFLTA是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它具有低电压和高电流特性，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关应用： ZXTP25020DFLTA可作为高效开关元件用于各种数字电路中，例如驱动继电器、LED或小型电机。其低饱和电压（Vce(sat)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 信号放大： 该晶体管适合用作音频或其他模拟信号的放大器。由于其良好的增益性能和稳定性，可以实现高质量的信号放大功能。 3. 电源管理： 在低压电源管理系统中，这款晶体管可用于电流控制、负载切换以及保护电路等任务。例如，在电池供电设备中充当电流限制器或过流保护装置。 4. 汽车电子： ZXTP25020DFLTA符合车规级要求（具体取决于系列版本），因此能够应用于汽车内部照明控制、传感器接口及小型执行器驱动等领域。 5. 消费类电子产品： 包括家用电器、玩具、便携式设备在内的许多消费类产品都可以利用此晶体管来完成简单的逻辑操作或功率调节工作。 6. 工业自动化： 在工业环境中，它可以参与构建PLC输入/输出模块、光电耦合器驱动电路以及其他需要快速响应的小功率控制单元。 总之，ZXTP25020DFLTA凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式，成为众多低功耗、小尺寸应用的理想选择。在实际使用时需根据具体需求考虑散热设计并确保工作条件处于安全范围内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP LOW POWER 20V SOT23-3两极晶体管 - BJT PNP 20V HG Trans. |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTP25020DFLTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTP25020DFLTA |
| PCN其它 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 260mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZXTP25020DFLDKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 290 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V, 160 at 1.5 A at 2 V, 60 at 4 A at 2 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 25 V |
| 频率-跃迁 | 290MHz |
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