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Datasheet下载- 型号： NCV8402ASTT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCV8402ASTT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCV8402ASTT3G价格参考￥1.48-￥1.50。ON SemiconductorNCV8402ASTT3G封装/规格：PMIC - 配电开关，负载驱动器， 。您可以下载NCV8402ASTT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCV8402ASTT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC DVR LO SIDE 42V 2.0A SOT223-4MOSFET 42V 2.0A |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NCV8402ASTT3GSMARTDISCRETES™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NCV8402ASTT3G |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 165 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率耗散 | 1.1 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 165 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 4.8A |
| 电流-输出/通道 | 2A |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | NCV8402A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
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