ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSS84PH6433XTMA1
Datasheet下载- 型号： BSS84PH6433XTMA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS84PH6433XTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS84PH6433XTMA1价格参考。InfineonBSS84PH6433XTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3。您可以下载BSS84PH6433XTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSS84PH6433XTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS84PH6433XTMA1 是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），常用于低功耗、小信号开关应用。该器件采用SGT（Shield Gate Technology）技术，具有低导通电阻、高开关效率和良好的热稳定性，适用于对能效和空间要求较高的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关，用于控制不同模块的供电以降低待机功耗；在电池供电系统中作为反向电流阻断或电池极性保护元件；还可用于DC-DC转换器、电压调节模块中的同步整流或电平转换电路。 此外，BSS84PH6433XTMA1 因其小型化封装（如PGSCT3）和高集成度，广泛应用于空间受限的消费类电子产品和工业控制模块中，适合需要高频开关、低漏电流和高可靠性的场合。其稳定的性能也使其可用于传感器接口电路、LED驱动开关及各类逻辑控制电路中。 综上，该型号MOSFET主要服务于高能效、小型化、低电压工作的电子系统，在消费电子、工业自动化和电源管理领域具有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | - 170 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CHANNEL MOS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS84PH6433XTMA1 |
| 产品型号 | BSS84PH6433XTMA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.36 W |
| Pd-功率耗散 | 360 mW |
| Qg-GateCharge | 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 16.2 ns |
| 下降时间 | 20.5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 8.6 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.065 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V |
| 漏极连续电流 | - 170 mA |
| 系列 | BSS84 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000924084 |
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