ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STD13N60M2
Datasheet下载- 型号： STD13N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD13N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD13N60M2价格参考￥6.24-￥6.88。STMicroelectronicsSTD13N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 110W（Tc） DPAK。您可以下载STD13N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD13N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STD13N60M2 是一款 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，属于晶体管 - FET 分类中的单MOSFET产品。该器件具有 600V 的漏源击穿电压和较高的电流承载能力（连续漏极电流可达约 13A），采用先进的 MDmesh™ M2 技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。 STD13N60M2 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源系统中，典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于工业电源、服务器电源和消费类电子设备中的 AC-DC 转换器，尤其在反激式、正激式和 LLC 谐振转换器中表现优异。 2. 照明电源：用于电子镇流器、LED 驱动电源等高效率照明系统。 3. 电机驱动：在中小功率家用电器（如风扇、洗衣机）和工业控制中的电机控制电路中作为开关元件。 4. 逆变器与UPS：广泛应用于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等电力转换设备中，实现高效的能量转换。 5. PFC（功率因数校正）电路：在升压式 PFC 电路中作为主开关管，提升系统功率因数并降低谐波干扰。 该器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在高温和高负载环境下长期运行。其封装形式通常为 TO-220FP 或类似，便于散热和安装，适用于多种工业与消费类电子产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11A DPAKMOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A MDmesh II Plus |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD13N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD13N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 9.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-13862-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
| 系列 | STD13N60M2 |
| 配置 | Single |
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