ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > PMIC - 栅极驱动器 > MC33153DR2G
Datasheet下载- 型号： MC33153DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33153DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33153DR2G价格参考。ON SemiconductorMC33153DR2G封装/规格：PMIC - 栅极驱动器， Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载MC33153DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC33153DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33153DR2G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能栅极驱动器，广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的电路中。该器件集成高低边驱动通道，支持自举供电，适用于半桥、全桥等拓扑结构，典型应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、逆变器以及照明镇流器等。 在工业电源系统中，MC33153DR2G可有效提升转换效率和系统可靠性，其内置的欠压锁定（UVLO）和互锁保护功能可防止上下管直通，增强安全性。此外，该芯片具备较强的驱动能力和良好的抗噪声性能，适合在电磁干扰较复杂的环境中稳定工作。 由于采用SOIC-8封装并符合RoHS标准，MC33153DR2G兼顾小型化与环保要求，适用于紧凑型电源设计。其工业级工作温度范围也使其在工业自动化、消费电子电源适配器、UPS不间断电源及新能源设备中得到广泛应用。总体而言，MC33153DR2G是一款可靠、高效的栅极驱动解决方案，适合多种中低功率电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC马达/运动/点火控制器和驱动器 1A Source/2A Sink |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,马达/运动/点火控制器和驱动器,ON Semiconductor MC33153DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MC33153DR2G |
| 产品种类 | 马达/运动/点火控制器和驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC33153DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | - 40 C to + 105 C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 80ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 11.7 V ~ 20 V |
| 电流-峰值 | 1A |
| 电源电流 | 20 mA |
| 类型 | Single IGBT Gate Driver |
| 系列 | MC33153 |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 1 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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