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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS223PWH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS223PWH6327XTSA1价格参考¥询价-¥询价。InfineonBSS223PWH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 390mA(Ta) 250mW(Ta) PG-SOT323-3。您可以下载BSS223PWH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS223PWH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSS223PWH6327XTSA1 是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件采用小型化表面贴装封装(如SOT-363),具有低导通电阻、低阈值电压和高开关效率等特点,适用于空间受限且对功耗敏感的便携式电子设备。 其典型应用场景包括:智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关,用于控制不同模块的供电通断;在电池供电系统中实现反向电流阻断和电池极性保护;也可用于DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关,提升电源转换效率。此外,该MOSFET还广泛应用于消费类电子产品中的信号切换、电机驱动(如微型振动马达控制)以及各类低功率开关电路。 得益于Infineon在半导体工艺上的优化,BSS223PWH6327XTSA1具备良好的热稳定性和可靠性,适合在工业环境温度范围内稳定工作。其小尺寸封装特别适合高密度PCB布局,满足现代电子产品轻薄化、高效化的设计需求。总之,该型号主要面向低电压、低功耗的开关控制场景,是便携式设备和嵌入式系统中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| Id-连续漏极电流 | - 390 mA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSS223PWH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSS223PWH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| Qg-GateCharge | - 0.05 nC |
| Qg-栅极电荷 | - 0.05 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.2 V |
| 上升时间 | 7.5 ns |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 7.6 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.2 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-323-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 0.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 390 mA |
| 系列 | BSS223 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 零件号别名 | SP000843010 |