ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ZXTN08400BFFTA
Datasheet下载- 型号： ZXTN08400BFFTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTN08400BFFTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTN08400BFFTA价格参考。Diodes Inc.ZXTN08400BFFTA封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 400V 500mA 40MHz 1.5W 表面贴装 SOT-23F。您可以下载ZXTN08400BFFTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTN08400BFFTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXTN08400BFFTA是Diodes Incorporated推出的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），具有高电流增益和优良的开关特性，适用于多种通用模拟与数字电路场景。该器件采用SOT-23F小型表面贴装封装，适合空间受限的高密度PCB设计。 典型应用场景包括： 1. 信号放大：在音频、传感器或小信号处理电路中作为前置放大器，利用其稳定的电流增益实现信号增强。 2. 开关控制：广泛用于电源管理、LED驱动、继电器或电机控制等开关电路，凭借快速响应和低饱和压降提高系统效率。 3. 逻辑接口：在微控制器与外围设备之间充当电平转换或驱动缓冲，确保信号可靠传输。 4. 便携式设备：因其小型封装和低功耗特性，常用于智能手机、可穿戴设备、无线模块等消费类电子产品中。 ZXTN08400BFFTA具备良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适合工业控制、汽车电子及家用电器等多种环境。其一致的电气性能和高良率制造工艺，也使其成为批量生产中的优选器件。总之，这是一款高性能、多功能的通用型BJT，适用于对尺寸、功耗和稳定性有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN MED PWR 400V SOT23F-3两极晶体管 - BJT NPN 400V Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTN08400BFFTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTN08400BFFTA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 175mV @ 100mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistors |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | ZXTN08400BFFTR |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 40 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 90 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 at 1 mA at 5 V, 100 at 50 mA at 5 V, 10 at 500 mA at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 450 V |
| 频率-跃迁 | 40MHz |
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