ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD23381F4T
Datasheet下载- 型号： CSD23381F4T
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD23381F4T由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD23381F4T价格参考。Texas InstrumentsCSD23381F4T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR。您可以下载CSD23381F4T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD23381F4T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD23381F4T是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET，属于超小型、高性能功率MOSFET系列。该器件采用1.0mm×1.0mm的SON-6封装，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 其主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和其他移动设备中的电源管理与负载开关；电池管理系统（BMS）中的充放电控制；DC-DC转换器（如降压或升压电路）中的同步整流元件；以及各类高密度电源模块和LED驱动电路。由于其低栅极电荷和快速开关特性，CSD23381F4T在高频开关应用中表现出色，有助于提升整体能效并减少发热。 此外，该MOSFET具备良好的抗瞬态电流能力，适合用于热插拔电路和过流保护设计。其小尺寸封装特别适用于需要微型化设计的消费类电子产品，帮助工程师在有限PCB空间内实现更高功率密度。 综上所述，CSD23381F4T广泛应用于便携式设备、电源管理单元、电池供电系统及高效DC-DC电源转换等场景，是一款兼顾性能与紧凑性的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V LGA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD23381F4T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FemtoFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 236pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.14nC @ 6V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 500mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 0402 |
| 其它名称 | 296-37782-2 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD23381F4T |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 标准包装 | 250 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A（Ta） |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
