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Datasheet下载- 型号： IRFR2307ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2307ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2307ZPBF价格参考。International RectifierIRFR2307ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRFR2307ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR2307ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR2307ZPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）等。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，IRFR2307ZPBF可以用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。它能够承受高电流和电压波动，确保电机平稳运行，并且通过精确的电流控制提升性能。 3. 工业自动化：这款MOSFET适合用在工业控制系统中的固态继电器、可编程逻辑控制器（PLC）以及伺服驱动器等设备上。它具备出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下长期稳定工作。 4. 汽车电子：在汽车领域，它可以应用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）、空调压缩机驱动等场合。Infineon的产品符合AEC-Q101标准，确保了其在车载环境下的安全性和耐用性。 5. 消费类电子产品：对于笔记本电脑适配器、智能手机快充头以及其他便携式设备的充电电路，IRFR2307ZPBF同样表现出色。它的紧凑封装形式使其易于集成到小型化设计中，同时提供高效的电力传输。 总之，IRFR2307ZPBF凭借其优异的电气参数和可靠性，在众多高性能需求的应用领域中展现出卓越的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAKMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 50nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 53 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR2307ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR2307ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 32A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR2307ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2307z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2307z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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