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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N90CT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N90CT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N90CT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF6N90CT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF6N90CT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF6N90CT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,具有高电压和中等电流的特性,适用于多种电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) FQPF6N90CT 的高耐压能力(900V)使其非常适合用于开关电源中的高压开关元件。它能够高效地控制电力传输,并在高频条件下保持较低的开关损耗。 2. 电机驱动 在工业自动化和家用电器中,该 MOSFET 可用于驱动中小型电机。其低导通电阻(典型值为 3.8Ω)有助于减少功率损耗,提高系统效率。 3. 逆变器 该器件常用于太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,作为功率转换的关键组件。其高耐压特性和快速开关能力可以确保稳定的电力输出。 4. 电磁阀和继电器驱动 在需要高电压驱动的应用中,例如汽车电子或工业设备中的电磁阀和继电器控制,FQPF6N90CT 能够提供可靠的开关性能。 5. 负载切换 该 MOSFET 可用作负载切换开关,适用于需要频繁开启和关闭高电压负载的场景,如照明系统或 HVAC(暖通空调)设备。 6. PFC(功率因数校正)电路 在功率因数校正电路中,FQPF6N90CT 可以帮助改善输入电流波形,提高系统的功率因数,从而满足严格的能源标准。 7. 保护电路 它还可以用于过流保护或短路保护电路中,通过快速响应和切断电流来保护下游设备。 总结来说,FQPF6N90CT 的高耐压、中等电流能力和良好的开关特性,使其成为许多高压、中小功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF6N90CT |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 欧姆 @ 3A,10V |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 56W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |