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  • 型号: NE678M04-T2-A
  • 制造商: CEL
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE678M04-T2-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE678M04-T2-A价格参考。CELNE678M04-T2-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 6V 100mA 12GHz 205mW Surface Mount SOT-343F。您可以下载NE678M04-T2-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE678M04-T2-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE678M04-T2-A 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款双极射频晶体管 (RF BJT),主要用于高频和射频应用。以下是其主要应用场景:

1. 射频放大器:  
   NE678M04-T2-A 适用于设计低噪声射频放大器,广泛用于无线通信系统、无线电接收机和测试设备中。其高增益和低噪声特性使其成为射频前端的理想选择。

2. 无线通信设备:  
   在无线通信领域,这款晶体管可用于设计基站、对讲机、无线模块和其他射频设备中的功率放大器或驱动级电路,以实现信号的高效传输。

3. 雷达与导航系统:  
   由于其出色的射频性能,该型号可应用于雷达系统和导航设备中的信号处理和放大电路,确保高精度和可靠性。

4. 测试与测量仪器:  
   在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中,NE678M04-T2-A 可用作关键的射频放大组件,提供稳定的增益和低失真性能。

5. 卫星通信与射频模块:  
   该晶体管支持卫星通信系统中的信号放大功能,同时也能集成到小型化的射频模块中,满足便携式设备的需求。

6. 工业与科学应用:  
   在需要高频信号处理的工业设备(如感应加热、等离子体控制)以及科学研究领域(如微波实验装置),此晶体管可以发挥重要作用。

总结来说,NE678M04-T2-A 的高性能射频特性使其成为各类射频放大、通信和测试应用的核心元件之一。具体使用时需根据实际电路需求进行匹配网络设计和优化。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 1.8GHZ M04

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

CEL

数据手册

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产品图片

产品型号

NE678M04-T2-A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

75 @ 30mA,3V

供应商器件封装

M04

其它名称

NE678M04-T2-ACT

功率-最大值

205mW

包装

剪切带 (CT)

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

13.5dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-343F

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

6V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

频率-跃迁

12GHz

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