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Datasheet下载- 型号： BF1212WR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF1212WR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1212WR,115价格参考。NXP SemiconductorsBF1212WR,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道双门 5V 12mA 400MHz 30dB CMPAK-4。您可以下载BF1212WR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF1212WR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BF1212WR,115 是一款硅基N沟道MOSFET射频晶体管，属于射频功率放大器应用中的低成本、高性能器件。该器件采用SOT343封装，具有小型化、高可靠性的特点，适用于高频信号放大场景。 BF1212WR,115 主要工作在数百MHz至1GHz频段，常用于低功耗射频发射系统中的驱动级或末级放大。其典型应用场景包括：无线通信模块（如ISM频段设备）、短距离无线传输系统（如遥控、传感器网络）、汽车遥控无钥匙进入系统（RKE）、胎压监测系统（TPMS）、智能家居无线控制模块以及便携式对讲设备等。 该器件具备良好的增益和输出功率特性，在低电压（如3V）下仍能保持高效工作，适合电池供电设备，有助于延长续航时间。同时，其集成度高、占用PCB空间小，非常适合对尺寸敏感的消费类电子和汽车电子应用。 综上，BF1212WR,115 是一款适用于中低功率射频放大需求的经济型MOSFET，广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类无线通信领域，尤其适合对成本、体积和功耗有较高要求的小型化射频系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BF1212WR,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1964-6 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | 0.9dB |
| 增益 | 30dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | N 通道双门 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 5V |
| 电压-额定 | 6V |
| 电流-测试 | 12mA |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | 30mA |
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