图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF3205STRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF3205STRLPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205STRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205STRLPBF价格参考。International RectifierIRF3205STRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 55V 110A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF3205STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF3205STRLPBF 是一款高性能的N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其典型应用场景包括:

1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,因其低导通电阻(RDS(on))可有效降低功耗,提高电源效率。

2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,特别是在电动工具、电动车窗、风扇和小型电动车辆控制系统中表现优异。

3. 逆变器系统:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中作为核心开关元件,实现高效的电能转换。

4. 汽车电子:由于符合AEC-Q101标准,适合车载应用,如车身控制模块、继电器替代、LED照明驱动等,具备良好的可靠性和温度耐受性。

5. 消费电子与工业控制:用于电池供电设备、电源适配器、智能电表及各类工业开关电路。

IRF3205STRLPBF采用表面贴装封装(如TO-263),便于自动化生产,并支持高电流处理能力(持续漏极电流达110A),适合紧凑型高功率设计。其快速开关特性有助于减小系统体积并提升响应速度。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAKMOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3205STRLPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF3205STRLPBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

97.3 nC

Qg-栅极电荷

97.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3247pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

146nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 62A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRF3205STRLPBFCT

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

97.3 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

110 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3205s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3205s.spi

闸/源击穿电压

20 V

推荐商品

型号:PMN34LN,135

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PMF280UN,115

品牌:NXP USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFP2907ZPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:ZVN3310FTA

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTD80N02T4G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSP295H6327XTSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SIHP24N65E-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STP5NK50ZFP

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRF3205STRLPBF 相关产品

IRFBC40STRLPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRFU3910PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFR120TRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

DMN6040SFDE-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

DN2625K4-G

品牌:Microchip Technology

价格:

CSD17553Q5A

品牌:Texas Instruments

价格:

STP7N80K5

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRLR3715Z

品牌:Infineon Technologies

价格: