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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTA4151PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTA4151PT1G价格参考¥0.32-¥2.44。ON SemiconductorNTA4151PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 760mA(Tj) 301mW(Tj) SC-75,SOT-416。您可以下载NTA4151PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTA4151PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTA4151PT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道MOSFET,属于功率MOSFET单管产品,广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用SOT-223封装,具有体积小、导通电阻低、开关速度快等特点,适合高效率、高密度的电路设计。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)及负载开关电路中,实现高效的电能转换与分配; 2. 电池供电设备:在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源中作为开关元件,用于电池充放电控制或电源路径管理; 3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供快速响应和低功耗控制; 4. 照明控制:用于LED驱动电路,特别是在需要调光功能的场合,凭借其良好的开关特性实现亮度调节; 5. 消费类电子与工业控制:如家电控制板、智能仪表、电源适配器等,用于信号开关或功率控制。 NTA4151PT1G具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(-55°C 至 150°C),符合工业级应用要求。同时,该型号为无铅环保产品(符合RoHS标准),适用于对环保有要求的终端产品。因其性价比高、性能稳定,成为众多中低端功率开关应用中的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416MOSFET -20V -760mA PChannel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 760 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 760 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTA4151PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTA4151PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 0.301 W |
| Pd-功率耗散 | 301 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 490 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 490 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 6 V |
| 上升时间 | 8.2 ns |
| 下降时间 | 8.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 156pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 350mA,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 其它名称 | NTA4151PT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 301mW |
| 功率耗散 | 0.301 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 490 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 760 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 760mA (Tj) |
| 系列 | NTA4151P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 6 V |