ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4946BEY-T1-E3
Datasheet下载- 型号： SI4946BEY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4946BEY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4946BEY-T1-E3价格参考￥4.60-￥8.57。VishaySI4946BEY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 6.5A 3.7W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4946BEY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4946BEY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4946BEY-T1-E3 是一款P沟道、30V、-7.9A的MOSFET阵列器件，采用小型SOP-8封装，内部集成了两个独立的P沟道MOSFET。该器件主要适用于需要高效电源开关和负载控制的低电压、中等电流应用场景。 典型应用包括便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电切换与电源路径控制。其P沟道结构简化了栅极驱动设计，适合用于高边开关（High-side Switch），在电源冗余切换、热插拔控制和负载开关电路中表现优异。 此外，SI4946BEY-T1-E3也广泛应用于DC-DC转换器中的同步整流或反向电流阻断电路，以及各类消费类电子产品中的电机驱动、LED驱动和接口保护电路。其低导通电阻（Rds(on) 典型值约25mΩ）有助于降低功耗，提高系统效率。 由于其具备良好的热稳定性和可靠性，并符合RoHS环保标准，该器件还适用于工业控制、通信设备和便携式医疗设备中的紧凑型电源模块。整体而言，SI4946BEY-T1-E3凭借小尺寸、高性能和高集成度，成为现代低功耗、高密度电子系统中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOICMOSFET 60V 6.5A 3.7W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?73411 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4946BEY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4946BEY-T1-E3SI4946BEY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 120 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 30 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 840pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4946BEY-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4946BEY-E3 |
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