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FCD5N60TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD5N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD5N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFCD5N60TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 4.6A(Tc) 54W(Tc) D-Pak。您可以下载FCD5N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD5N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD5N60TM 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS):FCD5N60TM 的高电压耐受能力(高达 600V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够高效地控制电流的通断,从而实现稳定的电压输出。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子中,该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 逆变器:适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变系统,将直流电转换为交流电。这种 MOSFET 的快速开关速度可以确保高效的能量转换过程。 4. 电磁阀控制:在需要精确控制流体或气体流动的应用中,如家电、汽车等,FCD5N60TM 可用作电磁阀的驱动元件,提供可靠且高效的开关功能。 5. 负载切换:在各种电子设备中,这款 MOSFET 可以作为负载切换器件使用,允许主电路根据需求开启或关闭特定部分,从而节省能源并延长电池寿命。 6. 过流保护电路:利用其内置的雪崩击穿保护功能,FCD5N60TM 还能在异常情况下保护电路免受过高电流的影响,增强系统的安全性与稳定性。 总之,由于其出色的电气性能和坚固的设计,FCD5N60TM 广泛应用于各类需要高压、高效率及快速响应的电子产品之中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAKMOSFET 650V SUPERFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD5N60TMSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCD5N60TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 810 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 810 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 2.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD5N60TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Tc) |
| 系列 | FCD5N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |