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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RSY160P05TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSY160P05TL价格参考。ROHM SemiconductorRSY160P05TL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RSY160P05TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RSY160P05TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RSY160P05TL 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、小封装、高可靠性等特点,适合空间受限和高效率要求的电路设计。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电源开关,实现高效能的电压转换和管理。 2. 负载开关:在便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中作为负载开关,控制电源的通断,节省功耗。 3. 电机驱动:适用于小型电机或继电器的驱动控制,提供快速开关响应。 4. 保护电路:用于过流、过压或反向电压保护电路中,保障系统安全。 5. 汽车电子:在车载设备中用于电源控制、LED驱动等场景,具备良好的稳定性和耐用性。 综上,RSY160P05TL适用于对效率、体积和可靠性有要求的各类电子设备中,尤其适合便携式与车载电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3MOSFET P Chan-45V+/-16A 4V Drive |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 16 A |
| Id-连续漏极电流 | - 16 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSY160P05TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSY160P05TL |
| Pd-PowerDissipation | 20 W |
| Pd-功率耗散 | 20 W |
| Qg-GateCharge | 17 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 45 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2150pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | RSY160P05TLTR |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TCPT-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta) |
| 配置 | Single |