ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF5210STRLPBF
Datasheet下载- 型号： IRF5210STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5210STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5210STRLPBF价格参考￥4.16-￥5.20。International RectifierIRF5210STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF5210STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5210STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF5210STRLPBF 是一款P沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中低功率的电源管理与开关控制场景。该器件具有-100V的漏源电压（VDS）和较高的连续漏极电流能力，适用于需要高效、可靠开关性能的电路。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：常用于DC-DC转换器、电源管理系统中的负载开关或高边/低边开关，尤其适合反向极性保护电路。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中作为控制开关，实现启停和方向控制。 3. 电池供电设备：如便携式仪器、工业手持设备中，用于电池连接与断开控制，降低静态功耗。 4. 逆变器与H桥电路：与其他MOSFET配合组成全桥或半桥拓扑，用于电机调速或逆变电源中。 5. 工业控制与消费电子：适用于继电器替代、LED驱动、电源热插拔控制等场景。 IRF5210STRLPBF采用表面贴装封装（如TO-252 DPAK），具备良好的散热性能和可靠性，适合自动化生产。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提升系统效率。此外，该型号符合RoHS环保标准，无铅设计，适用于对环保要求较高的产品。 总体而言，IRF5210STRLPBF是一款高性能P沟道MOSFET，适用于多种中压、中功率开关应用，尤其在需要简化电路设计和提高能效的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 38A D2PAKMOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 40 A |
| Id-连续漏极电流 | - 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5210STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5210STRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 38A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF5210STRLPBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 40 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf5210s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf5210s.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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