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Datasheet下载- 型号： ZXMHC3A01N8TC
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMHC3A01N8TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMHC3A01N8TC价格参考。Diodes Inc.ZXMHC3A01N8TC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） Mosfet 阵列 30V 2.17A，1.64A 870mW 表面贴装 8-SOP。您可以下载ZXMHC3A01N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMHC3A01N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMHC3A01N8TC是一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该器件主要应用于需要高效、紧凑和低功耗解决方案的电路设计中。以下是其具体应用场景： 1. 电源管理 ZXMHC3A01N8TC适用于各种电源管理应用，如DC-DC转换器、线性稳压器等。它能够提供高效的开关性能，减少功率损耗，特别适合用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统的电源模块中。 2. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中，ZXMHC3A01N8TC可以作为负载开关使用。它能够快速响应负载变化，确保电流的稳定传输，并且具备低导通电阻（Rds(on)），有助于降低发热和提高系统效率。 3. 电机驱动 对于小型电机驱动应用，如风扇、泵、步进电机等，ZXMHC3A01N8TC可以提供精确的电流控制和保护功能。其低导通电阻和高开关速度使其成为这些应用的理想选择，特别是在对能效要求较高的场合。 4. 电池管理系统 在电池管理系统（BMS）中，ZXMHC3A01N8TC可用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等。它能够有效防止电池过充、过放以及短路等问题，确保电池的安全性和使用寿命。 5. 信号调理 在一些信号调理电路中，ZXMHC3A01N8TC可以用作信号隔离或信号放大元件。它具有良好的线性度和低噪声特性，适用于音频处理、传感器接口等应用。 6. 通信设备 在通信设备中，ZXMHC3A01N8TC可用于射频前端电路中的开关和滤波器控制。它能够在高频条件下保持稳定的性能，同时具备较低的插入损耗和反射系数，有助于提高通信质量。 总结 ZXMHC3A01N8TC凭借其优异的电气性能和可靠性，在电源管理、负载开关、电机驱动、电池管理、信号调理和通信设备等多个领域有着广泛的应用。其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装等特点，使得它在现代电子设备中扮演着重要角色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOICMOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.06 A, 2.72 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.72 A, 2.06 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMHC3A01N8TC |
| Pd-PowerDissipation | 10.9 mW |
| Pd-功率耗散 | 10.9 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 0.18 Ohms, 0.33 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V, 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.3 ns |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMHC3A01N8DICT |
| 功率-最大值 | 870mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.17A，1.64A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Half-Bridge |
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