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型号： PSMN4R0-30YLDX
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R0-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R0-30YLDX价格参考￥1.28-￥1.28。NXP SemiconductorsPSMN4R0-30YLDX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 95A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN4R0-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R0-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN4R0-30YLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 通道 TrenchMOS 场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效率和低导通损耗的电力电子系统中。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块，因其低导通电阻（Rds(on)）和高效率，有助于提升能效并减少发热。

2. 电机驱动：在工业控制、电动工具和家用电器的电机驱动电路中，该器件可作为功率开关，提供快速开关响应和良好的热稳定性。

3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统和便携式设备中的电池充放电控制，支持高电流切换和过流保护功能。

4. 照明系统：适用于LED 驱动电源，特别是在高亮度 LED 和智能照明应用中，具备良好的热性能和可靠性。

5. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中，作为核心开关元件，实现高效的能量转换。

该器件采用 LFPAK56D 封装（双面散热），具有优异的散热性能和高功率密度，适合空间受限但要求高性能的设计。同时，其符合 RoHS 标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。总体而言，PSMN4R0-30YLDX 是中高功率应用中可靠且高效的 MOSFET 解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
ChannelMode	Enhancement
Id-ContinuousDrainCurrent	95 A
Id-连续漏极电流	95 A
品牌	NXP Semiconductors
产品目录	半导体
描述	MOSFET MOSFET N-CH 30V LFPAK
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R0-30YLDX
产品型号	PSMN4R0-30YLDX
Pd-PowerDissipation	64 W
Pd-功率耗散	64 W
Qg-GateCharge	9.1 nC
Qg-栅极电荷	9.1 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.74 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.74 V
上升时间	21.2 ns
下降时间	11.7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	14.9 ns
商标	NXP Semiconductors
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	LFPAK56-4
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
通道模式	Enhancement
配置	Single Triple Source