ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI1539CDL-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI1539CDL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1539CDL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1539CDL-T1-GE3价格参考。VishaySI1539CDL-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 700mA，500mA 340mW 表面贴装 SOT-363。您可以下载SI1539CDL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1539CDL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1539CDL-T1-GE3 是一款P沟道、0.76W、-20V、-1.8A的MOSFET阵列，采用双通道（Dual）配置，封装为SOT-363（SC-88），具有小型化、高集成度的特点。该器件适用于空间受限且需要高效开关控制的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中用于电源管理、负载开关或电池供电路径控制，其低功耗和小尺寸非常契合高密度PCB设计需求。 2. 电源开关与电压切换：常用于DC-DC转换器中的同步整流或电压极性切换电路，提升能效。 3. 信号路由与逻辑控制：在多路复用、I²C总线缓冲或电平转换电路中作为开关元件，实现信号通断控制。 4. 电池管理系统（BMS）：用于便携设备中的充放电控制，保护电路免受反向电流或过载影响。 5. 消费类电子与工业控制：如蓝牙耳机、USB接口电源管理、小型传感器模块等需要低导通电阻和快速响应的场合。 SI1539CDL-T1-GE3 具有低阈值电压（-0.8V典型值）、低RDS(on)（约0.1Ω），支持逻辑电平驱动，便于与微控制器直接接口。其SOT-363封装节省空间，适合自动化贴片生产。总体而言，该MOSFET阵列为中低功率应用提供了高效、可靠的开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 700MA SOT363MOSFET 30 Volts 0.7 Amps 0.34 Watts |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | 700 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?67469 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SI1539CDL-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1539CDL-T1-GE3SI1539CDL-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 0.34 W |
| Pd-功率耗散 | 340 mW |
| Qg-GateCharge | 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32.3 mOhms, 740 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32.3 mOhms, 740 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns, 19 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 388 毫欧 @ 600mA， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | SI1539CDL-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns, 4 ns |
| 功率-最大值 | 340mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.2 S, 0.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA， 500mA |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI1539CDL-GE3 |
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