ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > MMDT2227-7-F
Datasheet下载- 型号： MMDT2227-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2227-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2227-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT2227-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V, 60V 600mA 300MHz, 200MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载MMDT2227-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT2227-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2227-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-23-6 封装，内含两个匹配的 NPN 晶体管（共发射极结构），具有高增益（hFE 典型值达 300）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA）及良好匹配特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式设备中的信号切换与逻辑电平转换：如手机、可穿戴设备中驱动LED、蜂鸣器或小功率继电器； 2. 精密电流镜与差分放大电路：利用双管匹配性，用于传感器信号调理、电流检测放大等模拟前端设计； 3. 低压直流-直流转换辅助电路：在升压/降压拓扑中作驱动级或反馈路径中的开关/放大单元（适用于 ≤ 15 V 系统）； 4. 工业I/O接口保护与隔离：配合限流电阻实现PLC输入端口的ESD防护和电平适配； 5. 电池供电系统中的低功耗开关：因关断漏电流极小（ICBO < 10 nA），适合待机唤醒控制电路。 该器件额定集电极电流为 200 mA（连续），最大VCEO为 40 V，工作温度范围 -55℃ 至 +150℃，符合 AEC-Q200（汽车级）标准，亦广泛用于汽车电子（如车身控制模块、灯光控制）及工业自动化领域。需注意其非功率器件，不适用于大电流或高频（>100 MHz）场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V/60V SOT363两极晶体管 - BJT 40 / 60V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2227-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT2227-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA / 1.6V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT2227-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT2227 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz，200MHz |
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