ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MMBT5401-7-F
Datasheet下载- 型号： MMBT5401-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5401-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5401-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBT5401-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 150V 600mA 300MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3。您可以下载MMBT5401-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT5401-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT5401-7-F是Diodes Incorporated生产的一款通用型PNP双极结型晶体管（BJT），广泛应用于各类中小功率电子电路中。该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子产品。 其典型应用场景包括： 1. 信号放大：在音频、传感器或低频信号处理电路中作为小信号放大器使用，利用其良好的增益特性提升信号强度。 2. 开关控制：常用于电源管理、LED驱动、继电器或电机控制等开关电路中，实现对负载的快速通断控制，因其具备较高的开关速度和可靠性。 3. 电平转换与逻辑接口：在数字电路中用于不同电压逻辑之间的电平转换，例如将微控制器信号转换为适合驱动外围设备的电平。 4. 便携设备：由于低功耗和小型封装优势，广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源切换和信号控制模块。 5. 电源管理电路：配合其他元件构成简单的稳压、限流或保护电路，提高系统稳定性。 MMBT5401-7-F具有较高的直流电流增益（hFE）和较低的饱和压降，工作温度范围宽（-55°C 到 +150°C），适用于工业控制、家用电器及汽车电子等环境要求较高的场合。其高可靠性和成本效益使其成为众多设计中的优选三极管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 150V 350MW SMD SOT23-3两极晶体管 - BJT SS PNP 300mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMBT5401-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT5401-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 10mA，5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBT5401-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 150V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 240 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MMBT5401 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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