Datasheet下载- 型号： STP4N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP4N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP4N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTP4N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP4N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP4N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP4N80K5是一款N沟道垂直功率MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：由于其低导通电阻和高击穿电压（800V），STP4N80K5非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电力转换，适用于各种AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动：该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机，尤其是在需要高电压切换的应用中。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STP4N80K5可以作为关键的开关元件，实现直流到交流的转换，支持可再生能源系统的电力输出。 4. 电磁阀和继电器控制：由于其耐高压特性，这款MOSFET适合用于控制电磁阀或继电器等需要高电压驱动的设备，确保稳定可靠的操作。 5. 负载开关：在需要处理高电压负载的情况下，STP4N80K5可以用作负载开关，提供高效的电流控制，同时减少能量损耗。 6. 电子镇流器和荧光灯驱动：该MOSFET适用于电子镇流器和荧光灯驱动电路，帮助实现灯光的稳定点亮和调节。 7. 家电和工业设备：在需要高电压、低功耗操作的家用电器或工业设备中，如洗衣机、空调压缩机等，STP4N80K5能够提供可靠的性能。 总之，STP4N80K5凭借其高电压承受能力、低导通电阻以及优秀的热性能，广泛应用于需要高效电能管理的各种场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220ABMOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP4N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP4N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 10.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 175pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14038-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 商标名 | SuperMesh |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
| 系列 | STP4N80K5 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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