Datasheet下载- 型号： DMN5L06K-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN5L06K-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN5L06K-7价格参考。Diodes Inc.DMN5L06K-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN5L06K-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN5L06K-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN5L06K-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 便携式电子设备： DMN5L06K-7 的低导通电阻（Rds(on)）和小封装（如 SOT-363）使其非常适合用于便携式设备，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。它可用于负载开关、电池管理电路以及电源保护等功能。 2. 电源管理： 该器件适用于各种 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和线性稳压器的开关元件。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体效率。 3. 电机驱动与控制： 在小型电机驱动应用中，DMN5L06K-7 可用作开关元件来控制电机的启停和速度调节，例如在风扇、玩具电机或微型泵中。 4. 负载开关： 由于其低导通电阻和快速开关特性，该 MOSFET 常被用作负载开关，以实现高效的电源分配和节能。 5. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中，DMN5L06K-7 可用于音频信号切换、数据线路切换等场景，确保低损耗和高可靠性。 6. 电池保护与充电电路： 在锂离子电池或其他可充电电池系统中，该器件可以用作保护开关，防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 7. 消费类电子产品： 包括 USB 充电器、蓝牙设备、智能家居设备等，这些产品通常需要紧凑的设计和高效的功率管理，而 DMN5L06K-7 的特性正好满足这些需求。 总之，DMN5L06K-7 凭借其出色的性能和小巧的封装尺寸，广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和节省空间的各种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3MOSFET N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN5L06K-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN5L06K-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 350 mW |
| Pd-功率耗散 | 350 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2000 mOhms at 5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN5L06KDIDKR |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA （Ta） |
| 系列 | DMN5L06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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