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Datasheet下载- 型号： ZXMC10A816N8TC
- 制造商： Diodes Inc.
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ZXMC10A816N8TC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC10A816N8TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC10A816N8TC价格参考￥5.55-￥6.72。Diodes Inc.ZXMC10A816N8TC封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array N and P-Channel 100V 2A 1.8W Surface Mount 8-SOP。您可以下载ZXMC10A816N8TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMC10A816N8TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMC10A816N8TC 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双通道 P 沟道 MOSFET 阵列，采用 SOT-23-8 封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要用于低电压、低功耗的开关与功率管理应用。 典型应用场景包括： 1. 电源开关控制：在电池供电设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中用于控制电源通断，实现高效节能。 2. 负载开关：用于驱动外设模块（如摄像头、显示屏背光、Wi-Fi 模块）的独立供电控制，避免不必要的功耗。 3. 逆变器与电平转换电路：在数字信号电平转换中作为上拉开关，配合 N 沟道 MOSFET 构成互补结构。 4. 电机驱动与继电器驱动电路：在小功率直流电机或继电器控制中作为低端或高端开关使用。 5. 热插拔保护电路：防止设备在带电插拔时产生浪涌电流，保护系统稳定运行。 该 MOSFET 具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和良好的开关特性，支持快速响应和高效率。其集成双通道设计有助于减少 PCB 占用面积，提升系统集成度。由于采用 SOT-23-8 小型封装，特别适合对尺寸敏感的消费类电子产品。 总之，ZXMC10A816N8TC 广泛应用于便携式设备中的电源管理与信号控制场景，兼顾性能与紧凑性，是中小型功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOICMOSFET 100V COMPLEMENTARY DUAL ENHANCEMNT MODE |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMC10A816N8TC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMC10A816N8TC |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms, 235 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2.1 ns, 5.2 ns |
| 下降时间 | 5 ns, 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 497pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 1A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMC10A816N8DICT |
| 典型关闭延迟时间 | 12.1 ns, 20 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 230 mOhms at N Channel, 235 mOhms at P Channel |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 2.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
