ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDC6506P
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Datasheet下载- 型号： FDC6506P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6506P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6506P价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6506P封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 1.8A 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6。您可以下载FDC6506P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6506P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6506P是安森美（ON Semiconductor）推出的一款MOSFET阵列产品，内部集成两个N沟道和两个P沟道MOSFET，采用小型化封装（如SC-88/SOT-343），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要高效开关与电源管理的场景。 典型应用场景包括： 1. 移动设备电源管理：用于智能手机、平板电脑中的电池电源切换、负载开关控制，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换电路：在同步整流或电压调节模块中，利用其低导通电阻特性提高转换效率，降低发热。 3. 信号切换与电平转换：适用于I²C、UART等数字接口的电平匹配，支持不同电压域间的信号传输。 4. 便携式消费电子产品：如蓝牙耳机、智能手表、TWS耳机等，用于电源通断控制和系统节能管理。 5. 电机驱动与LED控制：在微型马达驱动或LED背光调光电路中作为开关元件，实现精确控制。 FDC6506P具备低阈值电压、快速开关速度和高可靠性，适合高频操作环境。其集成化设计减少了外围元件数量，有助于简化PCB布局，提升系统稳定性，广泛服务于高集成度、低功耗需求的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 30V SSOT6MOSFET SSOT-6 P-CH -30V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6506PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC6506P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.96 W |
| Pd-功率耗散 | 960 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6506PTR |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 170 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | 1.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A |
| 系列 | FDC6506P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDC6506P_NL |
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