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IRG4BC30FDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4BC30FDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4BC30FDPBF价格参考。International RectifierIRG4BC30FDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB。您可以下载IRG4BC30FDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4BC30FDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4BC30FDPBF是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道器件。它广泛应用于多种电力电子设备中,尤其适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRG4BC30FDPBF常用于开关电源中的功率转换部分,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高电源转换效率,减少能量损耗,从而实现更高效的电源管理。 2. 电机驱动: 在电机控制应用中,这款MOSFET可以作为功率级的一部分,用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。其高电流承载能力和快速响应速度使得它可以精确控制电机的速度和扭矩,适用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域。 3. 逆变器: 该MOSFET在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中也有广泛应用。它能够将直流电转换为交流电,适用于光伏系统、不间断电源(UPS)等设备。其良好的热特性和耐用性确保了逆变器在长时间运行下的稳定性和可靠性。 4. 电池管理系统(BMS): 在电池管理系统中,IRG4BC30FDPBF可用于电池充放电控制电路。通过精确控制电流流动,它可以保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响,延长电池寿命并提高安全性。 5. 汽车电子: 在汽车电子领域,这款MOSFET可以用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、车身控制系统等。其紧凑的设计和出色的电气性能使其适合在狭小空间内安装,并且能够在恶劣环境下保持稳定工作。 总之,IRG4BC30FDPBF凭借其优异的电气参数和可靠性,在各种电力电子应用中表现出色,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 42ns/230ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 124A |
| 描述 | IGBT 600V 31A 100W TO220ABIGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 51nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4BC30FDPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRG4BC30FDPBF |
| SwitchingEnergy | 630µJ (开), 1.39mJ (关) |
| TestCondition | 480V, 17A, 23 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,17A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRG4BC30FDPBF |
| 功率-最大值 | 100W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 42ns |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 31 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 31A |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.59 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 31 A |