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Datasheet下载- 型号： FGA50N100BNTDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA50N100BNTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA50N100BNTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA50N100BNTDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGA50N100BNTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA50N100BNTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA50N100BNTDTU是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超高压功率MOSFET（Ultra High Voltage Power MOSFET，UGBT）类别。以下是该型号的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - FGA50N100BNTDTU适用于开关电源中的高频开关应用，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 - 其高电压耐受能力（1000V击穿电压）使其适合用于高压输入环境下的电源设计。 2. 逆变器 - 在太阳能逆变器和电机驱动逆变器中，该MOSFET可以用作开关元件，实现高效的电能转换。 - 它能够承受高压波动，同时提供低导通电阻（Rds(on) = 3.8Ω典型值），减少能量损耗。 3. 电机控制 - 用于工业电机控制或家用电器中的电机驱动电路，如空调压缩机、洗衣机电机等。 - 高压特性使其能够适应更高电压等级的电机控制系统。 4. 高压负载切换 - 在需要频繁切换高压负载的系统中，例如工业设备、照明系统（如高压钠灯）或电动汽车充电站，该器件可作为开关元件使用。 5. 不间断电源（UPS） - 在UPS系统中，FGA50N100BNTDTU可用于电池充放电管理以及输出电压调节，确保在断电时稳定供电。 6. 电动车及混合动力汽车 - 可应用于电动车或混合动力汽车中的高压电路部分，例如电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器和车载充电器。 7. 焊接设备 - 在焊接设备中，该MOSFET可以用于控制电流输出，确保焊接过程的稳定性。 特性优势： - 高耐压：1000V击穿电压，适合高压应用场景。 - 低导通电阻：降低功率损耗，提高效率。 - 快速开关速度：支持高频工作，减小磁性元件体积。 - TO-247封装：良好的散热性能，适合大功率应用。 综上所述，FGA50N100BNTDTU主要应用于需要高电压、高效率和快速开关的电力电子领域，特别是在工业、能源和交通行业中具有广泛用途。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
| 描述 | IGBT 1000V 50A 156W TO3PIGBT 晶体管 600V 4 0A UFD |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 275nC |
| IGBT类型 | NPT 和沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA50N100BNTDTU |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.9V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 156W |
| 功率耗散 | 156 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | 1.5µs |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 25 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 500 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1000V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50A |
| 系列 | FGA50N100BNT |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1000 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 50 A |
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