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  • 型号: NTHD3100CT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD3100CT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD3100CT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD3100CT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 20V 2.9A,3.2A 1.1W 表面贴装 ChipFET™。您可以下载NTHD3100CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTHD3100CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N+P 20V 2.9A CHIPFETMOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

3.9 A

Id-连续漏极电流

3.9 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHD3100CT1G-

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产品型号

NTHD3100CT1G

Pd-PowerDissipation

1.1 W

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

80 mOhms at 4.5 V

RdsOn-漏源导通电阻

77 mOhms, 85 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V, +/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V, 8 V

上升时间

10.7 ns, 11.7 ns

下降时间

10.7 ns, 11.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

165pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.3nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 2.9A,4.5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ChipFET™

其它名称

NTHD3100CT1GOSDKR

典型关闭延迟时间

9.6 ns, 16 ns

功率-最大值

1.1W

功率耗散

1.1 W

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

80 mOhms at 4.5 V

封装

Reel

封装/外壳

8-SMD,扁平引线

封装/箱体

1206-8 ChipFET

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

6 S, 8 S

汲极/源极击穿电压

+/- 20 V

漏极连续电流

3.9 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.9A,3.2A

系列

NTHD3100C

通道模式

Enhancement

配置

Complementary

闸/源击穿电压

+/- 12 V, +/- 8 V

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