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FDG327NZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG327NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG327NZ价格参考¥2.09-¥2.19。Fairchild SemiconductorFDG327NZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 20V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)。您可以下载FDG327NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG327NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG327NZ是安森美(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,采用小型SOT-23封装,适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括: 1. 电源开关:常用于电池供电设备中的负载开关或电源管理电路,控制电源通断,降低待机功耗,广泛应用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 2. 电压反向保护:因其P沟道特性,适合用于防止电池反接或电源极性接反的保护电路,确保系统安全运行。 3. 信号切换与电平转换:在低功率数字电路中,可用于信号路径的开关控制或高低电平转换,适用于I2C、GPIO等接口电路。 4. 便携式消费电子:由于体积小、导通电阻低(典型值约0.45Ω),适合用于蓝牙耳机、移动电源、智能手环等对尺寸和功耗敏感的产品。 5. 电机驱动与继电器驱动:在小电流驱动应用中,可作为低端开关控制微型电机或继电器,实现简单高效的控制。 FDG327NZ具备低栅极电荷、快速开关响应和良好的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合工业级和消费级应用。其SOT-23封装便于自动化贴装,适合高密度PCB设计。总体而言,该器件适用于需要高效、紧凑、低功耗开关解决方案的各类电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6MOSFET 20V N-Ch PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG327NZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG327NZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.42 W |
| Pd-功率耗散 | 420 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 412pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG327NZFSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2.2 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 1.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.5A (Ta) |
| 系列 | FDG327N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | FDG327NZ_NL |