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FQPF10N20C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF10N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF10N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF10N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 38W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF10N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF10N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF10N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQPF10N20C 的高电压耐受能力(200V 额定电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 它可以作为主开关管,在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器或反激式转换器中使用。 2. 电机驱动 - 在中小功率电机驱动应用中,FQPF10N20C 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻(典型值为 0.45Ω)有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器 - 适用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器设计,用于将直流电转换为交流电。 - 在逆变器中,FQPF10N20C 可以实现高效的电力转换和控制。 4. 负载切换 - 在需要频繁切换负载的电路中,FQPF10N20C 可用作电子开关。 - 例如,汽车电子系统中的负载切换、电池管理系统中的开关控制等。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护和限流保护电路中。 - 其快速开关特性和低导通损耗使其成为保护电路的理想选择。 6. 音频功率放大器 - 在 D 类音频放大器中,FQPF10N20C 可用作输出级开关器件,提供高效能的音频信号放大。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中,用于驱动电磁阀、继电器或步进电机等设备。 - 其坚固耐用的设计能够承受工业环境中的电压波动和温度变化。 8. 家电产品 - 应用于家用电器中的风扇、水泵、压缩机等设备的驱动电路。 - 例如空调、冰箱、洗衣机等产品的电机控制模块。 总结 FQPF10N20C 的主要优势在于其高电压耐受能力、低导通电阻和良好的热性能,这使得它在需要高效能、高可靠性的应用场景中表现出色。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款 MOSFET 都能胜任多种任务。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220FMOSFET 200V N-Ch MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF10N20CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF10N20C |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 92 ns |
下降时间 | 72 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 4.75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
其它名称 | FQPF10N20C-ND |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 38W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Tc) |
系列 | FQPF10N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQPF10N20C_NL |