Datasheet下载- 型号： FQD6N40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD6N40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD6N40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD6N40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD6N40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD6N40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD6N40TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率开关场合。其额定电压为400V，电流能力适中，适合中高功率的开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明驱动及家用电器等场景。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于节能电源适配器、LED照明驱动电源、小型电机控制电路及工业自动化设备中的功率开关。此外，其快速开关特性也使其适用于高频电源变换应用。 综上，FQD6N40TM的典型应用场景包括：开关电源（SMPS）、LED驱动、电机控制、家电功率控制及工业电源模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD6N40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.15 欧姆 @ 2.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Tc） |
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