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Datasheet下载- 型号： SIS412DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS412DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS412DN-T1-GE3价格参考￥1.60-￥1.60。VishaySIS412DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 12A（Tc） 3.2W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS412DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS412DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS412DN-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET晶体管，采用1.8W的小型TSOP-6封装，具备低导通电阻和高开关效率。该器件广泛应用于便携式电子设备和空间受限的电路设计中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，因其低功耗和高效率有助于延长电池寿命。 2. DC-DC转换器：在同步整流或电压调节电路中作为开关元件，提升转换效率，适用于低电压输入（如3.3V或5V）系统。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小功率电机或电磁继电器的控制电路，实现快速开关和低发热运行。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借其快速响应特性和集成保护能力，可用于防止电流冲击和短路保护。 5. 消费类电子产品：如蓝牙耳机、移动电源、USB接口保护等，得益于其小型封装和高可靠性。 SIS412DN-T1-GE3具有-20V的漏源电压（VDS）、-4A的连续漏极电流（ID）和低栅极电荷，适合高频开关操作。其无铅环保设计符合RoHS标准，适用于对环境和安全要求较高的工业及消费类产品。总体而言，该MOSFET在高效、紧凑的电源控制方案中表现出色，是现代低功耗电子系统中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAKMOSFET 30V 12A 15.6W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS412DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS412DN-T1-GE3SIS412DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 435pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS412DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 15.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIS412DN-GE3 |
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